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我國第三代半導體產業迎“芯”天地,國產自主可控未來可期
2020-12-01 16:35:13.0

2020-12-01 16:35:13.0 | 分類: | 瀏覽量:1133

毋庸置疑,國內第三代半導體迎發展窗口期!
日前,第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲在2020國際第三代半導體論壇上表示,雙循環模式推動國產化替代,2020年中國SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)電力電子和微波射頻產值預計將約為70億元。
第三代半導體已成為全球半導體技術和產業新的競爭焦點。新基建浪潮下,5G、人工智能、數據中心等領域都潛藏著海量的芯片需求,這為第三代半導體帶來廣闊的市場前景。

  政策+資本驅動 第三代半導體站上風口

  在復雜多變的國際貿易形勢下,我國半導體產業受到嚴重打壓,迫切需要新一代半導體技術的發展與支撐。而以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導體材料,成為繼硅之后最有前景的半導體材料。與第一代和第二代半導體材料相比,第三代半導體材料具有高擊穿電場、高飽和電子速度、高熱導率、高電子密度、高遷移率等特點。

  近年來,我國政府對集成電路、第三代半導體均給予了高度重視,并明確出臺相關政策助力產業發展。尤其是近日發布的“十四五”規劃建議,再度明確發展現代產業,加快第五代移動通信、工業互聯網、大數據中心建設,壯大新一代信息技術等產業,以期實現產業自主可控,從頂層為半導體產業發展做出了重要指引。

  

  政策紅利之下,勢必會引爆第三代半導體產業投資熱潮,就連科技巨頭華為也在加速進軍第三代半導體領域。日前,據企查查消息顯示,哈勃科技投資有限公司又新增投資了寧波潤華全芯微電子設備有限公司,據悉,這是華為哈勃投資的第三家第三代化合物半導體相關企業。

  值得一提的是,近期在2020年中國寬禁帶半導體技術論壇暨產業發展峰會上,國家電網全能源互聯網研究院董事長滕樂天表示,第三代半導體是我國與發達國家差距相對較小的領域,最有機會實現技術上的彎道超車,特別是實現高壓大功率器件,可擺脫功率半導體中的被動局限,也能做到0到1的突破與首創。

  我國寬禁帶半導體未來可期

  目前,第三代半導體從電力電子領域到信息工程領域到國防建設領域到新能源領域都有涉及。我國將它作為列入十四五規劃,也帶動了一批科技企業投入研發。

  乾照光電和聚燦光電精耕的領域中就包含氮化鎵和LED;三安光電氮化鎵業務由全資子公司三安集成運營,2020年上半年收入3.75億元,同比增長680.48%。此外,三安光電在長沙設立子公司湖南三安從事碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目......

  另據充電頭網統計,在智能手機行業中,目前已有華為、小米、OPPO、魅族、三星、努比亞、realme等多個品牌推出了氮化鎵快充產品。電商方面,目前也有17家品牌先后推出了數十款氮化鎵快充新品。已經出貨的電源廠商超過100家。

  目前,我國第三代半導體領域有一定的技術基礎,有廣大的應用市場,產業鏈高自主、高可控仍是重點的發展方向。未來五年,將是我國第三代半導體技術和產業飛速發展的重要窗口期,我們要把握好這個機會,實現彎道超車的可能。

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