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半絕緣碳化硅多晶粉300-500μm


半絕緣碳化硅多晶粉3000-500μm.jpg

博飛克成份分析報告

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成分報告

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氮含量報告


粒徑分析圖

461um粒徑圖.jpg

XRD

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功能及亮點

碳化硅晶體材料是新一代寬禁帶半導體材料,可以突破硅基半導體材料的理論限制,它具有熱導率高(硅的3倍)、擊穿電場強度高(硅的10倍)、飽和電子漂移速度高(硅的2倍)、介電常數小、抗輻射能力強以及良好的化學穩定性、與GaN晶格失配小(4%)等特點,是新一代發光二極管(LED)襯底材料、大功率電力電子材料。本公司生產的半導體級碳化硅多晶粉主要針對第三代半導體---碳化硅單晶的生長需求,粒徑可實現300微米到毫米級精準控制,產品純度高于6N,氮含量低于1ppm,主要開發6H晶向的多晶粉料。

應用領域

產品用于制作高溫、高壓、大功率、抗輻照的半導體功率器件,此類器件廣泛應用于5G通信、高鐵、汽車電子、智能電網、光伏逆變等領域。

市場優勢

目前,國內沒有成熟的適用于半絕緣碳化硅單晶材料制備的高純碳化硅粉生產企業,少數幾家公司和科研單位采用固相燒結法進行高純碳化硅粉源的研制,自產自用,但產品質量穩定性差,高純半絕緣成品率很低。

技術咨詢

聯系人:李經理

電話:15382080656

微信:ZCDM210

郵箱:li@jcclkj.com


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